TSMC, 2nm transistör üretimi için düğmeye bastı

Mobil ve masaüstü işlemcileri ile alakalı her geçen vakit dahada çok ilerleme kaydeden şirketler geliştirdikleri teknolojiler ile fizik kaidelerine alan okumaya ayni ritimde devam ediyor. TSMC, 2nm MBCFET teknolojisi ile gündeme geldi.

TSMC, 2nm MBCFET teknolojisi ile gündemde

MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) sayesinde transistör üretiminde 3nm seviyesine civarindan inmeyi muvaffak olan şirketler, tertemiz geliştirilen teknoloji sayesinde dahada iyi neticeler elde etti. GizChina, TMSC tarafından yapılan çalışmalar neticeninde 2nm ile birlikte enerji verimliliğini hatri sayilir büyüklükte ortanda artırıldığını açıkladı.

TSMC, 2nm MBCFET teknolojisi ile gündemde

İlk sefer FinFET olmayan düğümler ile oluşturulan sistemin, 2023 yılının 2. yarısında seri imalat amaciyla hazır olacağı düşünülüyor. 5nm ve 3nm teknolojilerinden değişik olarak MBCFET benzeyen tek tasarım kullanabilecek var olan TMSC, geliştirilen teknoloji sayesinde transistörlerin performanslarını hatri sayilir büyüklükte ölçüde artıracak.

MBCFET transistörler, güç kaybını azaltmak ve verimliliği artırmak amaciyla GAAFET (Gate All Around) tasarım anlayışı ile üretilmektedir. Samsung ve Intel tek vakit evvel tertemiz işlemcilerini MBCFET teknolojisi ile üreteceğini açıklamıştı.

Analistler MBCFET ile birlikte üretilen işlemcilerin batarya performansı ile alakalı umulandan dahada iyi neticeler elde edileceğini düşünüyor. 2024 veyahut 2025 seneninde hayatımıza girecek var olan 2nm işlemciler ile alakalı ne düşünüyorsunuz? Düşüncelerinizi yorumlarda belirtebilirsiniz.

2nm işlemci2nm MBCFET2nm transistörTSMCTSMC 2nmTSMC 2nm işlemci

Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir